Medidas antiestáticas para instrumentos
(1) Conecte um resistor externo em série em cada entrada do dispositivo MOS.
(2) Todos os diferentes cabos de entrada do dispositivo MOS não podem ser deixados flutuando e devem ser conectados ao solo de energia, potência (fonte) vss ou potência (drenagem) VDD de acordo com diferentes circuitos.
(3) A saída do dispositivo CMOS (exceto o interruptor analógico) pode ser separada da linha do cabo por um resistor, e o circuito pode ser fixado em VSS ou VDD com dois diodos de comutação de alta velocidade.
(4) Ao usar cabos de entrada longos, uma rede de filtragem deve ser usada.
(5) Na entrada de componentes bipolares sensíveis à descarga eletrostática (ESD), uma rede RC que consiste em um resistor com um grande valor de resistência e um capacitor com capacidade não inferior a 1 0 0pf está conectado externamente para reduzir o impacto da descarga eletrostática (ESD). Quando as características do circuito são especificadas, dois diodos paralelos também podem ser usados para prender a tensão de 0,5V em cada polaridade para derrubar a entrada no solo.
(6) Não é permitido conectar os fios de componentes sensíveis à ESD instalados em placas de circuito impresso diretamente aos terminais de conectores elétricos sem qualquer circuito de proteção.
(7) Os circuitos de interface de instrumentos e equipamentos devem usar o nível de sensibilidade à ESD ou componentes insensíveis o máximo possível.
(8) Os conectores elétricos externos de instrumentos e equipamentos conectados a circuitos sensíveis à ESD devem ser equipados com limites de proteção ESD (tampas).
(9) Teclados, painéis de controle, controles manuais, interruptores e dispositivos de travamento conectados a produtos sensíveis à ESD devem ser projetados para descarregar diretamente a carga estática no corpo humano através do fio terrestre do chassi.
(10) Os componentes e circuitos híbridos devem ser organizados para manter os componentes sensíveis à ESD longe dos componentes que geram campos eletrostáticos, como fãs de exaustão, e a tecnologia de supressão eletrostática e a tecnologia de blindagem eletrostática devem ser usadas quando necessário.
(11) Os produtos sensíveis à ESD devem estar equipados com terminais de terra conectados à Terra ou às conchas de metal de navios, naves espaciais, foguetes e mísseis.
(12) Se o shell do chassi for sobreposto, mesmo que a resistência de sobreposição seja 0. 1Ω, se a corrente de descarga for 30a, haverá uma tensão de 3V na sobreposição, ou seja, o potencial de referência de diferentes circuitos será diferente em 3V. A solução é usar o aterramento de ponto único e evitar a sobreposição o máximo possível.